Stampa pagina
BF998E6327HTSA1
Transistore RF FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBF998E6327HTSA1
Codice Prodotto4318965
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds12V
Corrente Continua di Drain Id30mA
Dissipazione di potenza200mW
Frequenza Operativa Min-
Frequenza Operativa Max-
Stile di Case del TransistorTO-252
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
12V
Dissipazione di potenza
200mW
Frequenza Operativa Max
-
Numero di pin
4Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Corrente Continua di Drain Id
30mA
Frequenza Operativa Min
-
Stile di Case del Transistor
TO-252
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000635