Stampa pagina
AUIRFS3306TRL
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAUIRFS3306TRL
Codice Prodotto3889215RL
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001522172, AUIRFS3306TRL
Datasheet tecnico
1 024 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
A disposizione fino ad esaurimento scorte
| Quantità | |
|---|---|
| 500+ | € 2,410 |
| 1000+ | € 2,130 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 500
Più: 1
€ 1 210,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAUIRFS3306TRL
Codice Prodotto3889215RL
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001522172, AUIRFS3306TRL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id120A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0033ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0033ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di Potenza Pd230W
Dissipazione di potenza230W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0033ohm
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
230W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
120A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0033ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di potenza
230W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00033
Tracciabilità del prodotto