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AIMCQ120R060M1TXTMA1
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 44 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, HDSOP
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAIMCQ120R060M1TXTMA1
Codice Prodotto4628429RL
Anche noto comeAIMCQ120R060M1T, SP005730177
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 8,270 |
| 50+ | € 7,590 |
| 100+ | € 6,900 |
| 250+ | € 6,760 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAIMCQ120R060M1TXTMA1
Codice Prodotto4628429RL
Anche noto comeAIMCQ120R060M1T, SP005730177
Datasheet tecnico
Corrente Continua di Drain Id44A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.075ohm
Numero di pin22Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.1V
Dissipazione di potenza259W
Temperatura di esercizio max175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Corrente Continua di Drain Id
44A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.075ohm
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
259W
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Numero di pin
22Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.1V
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto