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1EDN7511BXUSA1
Driver MOSFET, lato basso, alim. 4,5V-20V, 8A out, ritardo 19ns, SOT-23-6
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttore1EDN7511BXUSA1
Codice Prodotto2986398RL
Gamma ProdottiEiceDRIVER 1EDN
Anche noto come1EDN7511B, SP001891288
Datasheet tecnico
5 110 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttore1EDN7511BXUSA1
Codice Prodotto2986398RL
Gamma ProdottiEiceDRIVER 1EDN
Anche noto come1EDN7511B, SP001891288
Datasheet tecnico
Numero di canali1Canali
Tipo di Gate Drivernon isolato
Configurazione Driverlow side
Tipo di Interruttore di PotenzaMOSFET, IGBT, HEMT su base GaN
Numero di pin6Pin
Package/case del circuito integratoSOT-23
Montaggio CImontaggio superficiale
Tipo di IngressoInvertente, non invertente
Corrente di Source (Sorgente)4A
Corrente di Sink (Pozzo)8A
Tensione di alimentazione min4.5V
Tensione di alimentazione max20V
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max150°C
Ritardo Ingresso19ns
Ritardo in Uscita19ns
Gamma di prodottiEiceDRIVER 1EDN
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
1EDN7511BXUSA1 is an EiceDRIVER™ single-channel low-side gate driver IC. The pinout meets de-facto industry standards. This is made to drive logic and normal-level MOSFETs like OptiMOS™ and CoolMOS™, and GaN HEMT device. The application includes switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction systems, DC-DC power converters, low-voltage drives and power tools, industrial power supply (SMPS, UPS), EV off-board chargers, solar micro-inverters, solar optimizers.
- 4.2V/3.9V UVLO ON/OFF, separated source and sink output configuration
- High level (sourcing) output current is 4.0A typ, low level (sinking) output current is -8.0A typ
- Input to output propagation delay is 19ns typ (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- 5A reverse current robustness, -10V input voltage robustness
- Qualified for industrial applications according to JEDEC
- Supply voltage range from 4.5 to 20V (min defined by UVLO)
- Input voltage robustness is -10V, 5A reverse current robustness
- VDD quiescent current is 0.4mA typ (OUT=high, VVDD= 12V, VVDD= 12V, TJ=25°C)
- Rise time is 6.5ns typ (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V), fall time is 4.5ns typ (CLOAD= 1.8nF, VVDD= 12V)
- PG-SOT23-6 package, junction temperature range from -40 to 150°C
Specifiche tecniche
Numero di canali
1Canali
Configurazione Driver
low side
Numero di pin
6Pin
Montaggio CI
montaggio superficiale
Corrente di Source (Sorgente)
4A
Tensione di alimentazione min
4.5V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Ritardo Ingresso
19ns
Gamma di prodotti
EiceDRIVER 1EDN
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Tipo di Gate Driver
non isolato
Tipo di Interruttore di Potenza
MOSFET, IGBT, HEMT su base GaN
Package/case del circuito integrato
SOT-23
Tipo di Ingresso
Invertente, non invertente
Corrente di Sink (Pozzo)
8A
Tensione di alimentazione max
20V
Temperatura di esercizio max
150°C
Ritardo in Uscita
19ns
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.003629
Tracciabilità del prodotto