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S5973
Fotodiodo, 1 pA, 760 nm, TO-18-3
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreHAMAMATSU
Cod. produttoreS5973
Codice Prodotto1495575
Datasheet tecnico
Numero di pin3Pin
Tipo di Case del DiodoTO-18
Lunghezza d'Onda Sensibilità di Picco760nm
Angolo di Accettazione-
Corrente di Buio1pA
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max100°C
Gamma di prodotti-
Standard di Qualifica Automotive-
Panoramica del prodotto
The S5973 from Hamamatsu is a leaded Si PIN photodiode in TO-18 package. This device is designed for visible to near infrared light detection. Photodiode is suitable for violet laser detection and other high speed photometry as it provides wide band characteristics at low bias.
- High speed response
- High sensitivity
- High reliability
- Dark current of 1pA at VR=10V
- Cutoff frequency of 1GHz at VR=3.3V
- Terminal capacitance of 1.6pF at f=1MHz and VR=3.3V
Specifiche tecniche
Numero di pin
3Pin
Lunghezza d'Onda Sensibilità di Picco
760nm
Corrente di Buio
1pA
Temperatura di esercizio max
100°C
Standard di Qualifica Automotive
-
Tipo di Case del Diodo
TO-18
Angolo di Accettazione
-
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00058