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ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG3F18MT12FB4
Codice Prodotto4716170
Gamma ProdottiSiCPAK F Series
Datasheet tecnico
48 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG3F18MT12FB4
Codice Prodotto4716170
Gamma ProdottiSiCPAK F Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETFull Bridge
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id53A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.024ohm
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin22Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.3V
Dissipazione di potenza106W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiSiCPAK F Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
Full Bridge
Corrente Continua di Drain Id
53A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.024ohm
Numero di pin
22Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
106W
Gamma di prodotti
SiCPAK F Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001