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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG3R20MT17K
Codice Prodotto3598657
Gamma ProdottiG3R
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id124A
Tensione Drain Source Vds1.7kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.02ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.7V
Dissipazione di potenza809W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiG3R
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Panoramica del prodotto
G3R20MT17K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Applications includes EV fast charging, solar inverters, industrial motor drives, transportation, industrial power supply, smart grid and HVDC, induction heating and welding, pulsed power.
- Drain-source voltage is 1700V (V=0V, I=100µA, T=25°C), RDS(ON) is 20mohm typ (T=25°C, VGS=15V)
- G3R™ Technology with +15V gate drive, softer R v/s temperature dependency
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, smaller R and lower Q
- Low device capacitances (C0ss, CRss ), superior cost-performance index
- Robust body diode with low V and low QRR, industry-leading UIL & short-circuit robustness
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Reduced ringing, faster, more efficient switching, continuous forward current is 67A (T=100°C)
- Lesser switching spikes and lower losses, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- TO-247-4 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
124A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.02ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.7V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.7kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
809W
Gamma di prodotti
G3R
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001393