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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG2R1000MT33J
Codice Prodotto3598638
Gamma ProdottiG2R
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id4A
Tensione Drain Source Vds3.3kV
Resistenza Drain-Source in conduzione1ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza74W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiG2R
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
4A
Resistenza Drain-Source in conduzione
1ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
3.3kV
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
74W
Gamma di prodotti
G2R
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001393