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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG2R1000MT17D
Codice Prodotto3598643
Gamma ProdottiG2R
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id4A
Tensione Drain Source Vds1.7kV
Resistenza Drain-Source in conduzione1ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza53W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiG2R
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
4A
Resistenza Drain-Source in conduzione
1ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (19-Jan-2021)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.7kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
53W
Gamma di prodotti
G2R
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.008187