Stampa pagina
FMMT491ATA
Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
2 626 A Stock
9 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,222 |
| 500+ | € 0,154 |
| 1500+ | € 0,126 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 27,20 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreFMMT491ATA
Codice Prodotto3127388RL
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore40V
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo40V
Corrente di Collettore CC1A
Corrente di Collettore continua1A
Dissipazione di potenza500mW
Dissipazione di Potenza Pd500mW
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin3Pin
Frequenza di transizione150MHz
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo300hFE
Guadagno di Corrente CC hFE300hFE
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FMMT491ATA is a NPN silicon planar medium power transistor.
- RCE(sat) = 195mohm for a low equivalent on-resistance
- hFE characterized up to 2A for high current gain hold up
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, PPAP capable
- Collector-base voltage/collector-emitter voltage is 40V at TA = +25°C
- Emitter-base voltage is 7V at TA = +25°C
- Continuous collector current is 1A at TA = +25°C
- Peak pulse current is 2A at TA = +25°C
- Base current is 200mA at TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
40V
Corrente di Collettore continua
1A
Dissipazione di Potenza Pd
500mW
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione
150MHz
Guadagno di Corrente CC hFE
300hFE
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Massima tensione Collettore-Emettitore
40V
Corrente di Collettore CC
1A
Dissipazione di potenza
500mW
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Numero di pin
3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
300hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000082
Tracciabilità del prodotto