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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMTH61M8SPSQ-13
Codice Prodotto3589346
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id215A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0011ohm
Stile di Case del TransistorPowerDI5060
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza167W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
215A
Stile di Case del Transistor
PowerDI5060
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
167W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0011ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002
Tracciabilità del prodotto