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DMTH4007LPSQ-13
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 85 A, 0.0054 ohm, PowerDI 5060, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMTH4007LPSQ-13
Codice Prodotto3943905RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id85A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0054ohm
Stile di Case del TransistorPowerDI 5060
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza83.3W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
85A
Stile di Case del Transistor
PowerDI 5060
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
83.3W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0054ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto