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DMP65H9D0HSS-13
MOSFET di potenza, canale P, 600 V, 300 mA, 9 ohm, SOIC, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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| 12000+ | € 0,578 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMP65H9D0HSS-13
Codice Prodotto4318625
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id300mA
Resistenza Drain-Source in conduzione9ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza1.9W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
300mA
Stile di Case del Transistor
SOIC
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.9W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
9ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto