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DMP6110SFDF-7
MOSFET di potenza, canale P, 60 V, 3.5 A, 0.11 ohm, UDFN2020, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMP6110SFDF-7
Codice Prodotto2748298
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id3.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.11ohm
Stile di Case del TransistorUDFN2020
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza1.97W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMP6110SFDF-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery management application, power management functions, DC-DC converters.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -3.5A at TA = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (10μs pulse, duty cycle = 1%) is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.76W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 110mohm max at VGS = -10V, ID = -4.5A, TA = +25°C
- U-DFN2020-6 (type F) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
3.5A
Stile di Case del Transistor
UDFN2020
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.97W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.11ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per DMP6110SFDF-7
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000007
Tracciabilità del prodotto