DMP6023LE-13

Il DMP6023LE-13 è un MOSFET ad arricchimento a canale P. Questo MOSFET è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono la retroilluminazione, i dispositivi di gestione dell'alimentazione e i convertitori DC-DC.

• Bassa resistenza di stato ON, alta velocità di commutazione, bassa soglia
• Forza di pilotaggio ridotta, bassa capacità di ingresso
• Tensione drain-source: -60V a TA = +25°C
• Tensione gate-source: ±20V a TA = +25°C
• Corrente di drain continua: -7A a TA=+25°C, VGS=-10V
• Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): -50A a TA = +25°C
• Dissipazione di potenza totale: 2W a TA = +25°C
• Resistenza di conduzione drain-source statica: 28mohm max (VGS = -10V; ID = -5A; TA = +25°C)
• Package SOT223
• Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C