Ti serve altro?
Quantità | |
---|---|
500+ | € 0,0843 |
1500+ | € 0,0726 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
Il DMP510DL-7 è un MOSFET ad arricchimento a canale P. Questo MOSFET è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono i commutatori di interfaccia generici, le funzioni di gestione dell'alimentazione e gli interruttori analogici.
- Bassa resistenza di stato ON, bassa tensione di soglia gate, bassa capacità di ingresso
- Velocità di commutazione elevata, bassa dispersione di I/O
- Tensione drain-source: -50V a TA = +25°C
- Tensione gate-source: ±30V a TA = +25°C
- Corrente di drain continua: -180A a TA=+25°C, VGS=-5V
- Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): -1,2A a TA = +25°C
- Dissipazione di potenza totale: 310mW a TA = +25°C
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 10mohm max a VGS = -5V; ID = -0,1A; TA = +25°C
- Package SOT23 (standard)
- Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
canale P
50V
10ohm
SOT-23
5V
310mW
3Pin
-
-
No SVHC (27-Jun-2024)
canale P
180mA
10ohm
montaggio superficiale (SMT)
2V
310mW
150°C
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per DMP510DL-7
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto