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DMP4065S-7
MOSFET di potenza, canale P, 40 V, 2.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMP4065S-7
Codice Prodotto3127368RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale P
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id2.4A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.064ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza720mW
Dissipazione di Potenza Pd720mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Il DMP4065S-7 è un MOSFET ad arricchimento a canale P. Questo MOSFET è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono la carica delle batterie, le funzioni di gestione dell'alimentazione, i convertitori DC-DC e gli adattatori di potenza portatili.
- Bassa resistenza di conduzione, bassa capacità di ingresso
- Velocità di commutazione elevata, bassa dispersione di I/O
- Tensione drain-source: -40V a TA = +25°C
- Tensione gate-source: ±20V a TA = +25°C
- Corrente di drain continua: -2,4A a TC=+25°C, VGS=-10V
- Corrente di drain a impulsi: -20A a TA = +25°C
- Dissipazione di potenza totale: 0,72W
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 80mohm max (VGS = -10V; ID = -4,2A; TA = +25°C)
- Package SOT23 (standard)
- Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale P
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.064ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
720mW
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
2.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Dissipazione di Potenza Pd
720mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00185