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DMP4015SK3-13
MOSFET di potenza, canale P, 40 V, 35 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMP4015SK3-13
Codice Prodotto2543554RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id35A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.011ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza3.5W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMP4015SK3-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include backlighting, power-management functions, DC-DC converters.
- 100% unclamped inductive switch (UIS) test in production
- Low on-resistance, fast switching speed
- Drain-source voltage is -40V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±25V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -35A at TC = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -100A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 3.5W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 11mohm max at VGS = -10V, ID = -9.8A, TA = +25°C
- TO252 (DPAK) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
35A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.011ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001814
Tracciabilità del prodotto