Stampa pagina
DMP2120U-7
MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 3.8 A, 0.062 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
6 293 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,294 |
| 50+ | € 0,193 |
| 100+ | € 0,0822 |
| 500+ | € 0,0783 |
| 1500+ | € 0,0724 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 1,47 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMP2120U-7
Codice Prodotto3405186
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id3.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.062ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza800mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Il DMP2120U-7 è un MOSFET ad arricchimento a canale P. Questo MOSFET è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono la carica delle batterie, le funzioni di gestione dell'alimentazione, i convertitori DC-DC e gli adattatori di potenza portatili.
- Bassa resistenza di conduzione, bassa capacità di ingresso
- Velocità di commutazione elevata, bassa dispersione di I/O
- Tensione drain-source: -20V a TA = +25°C
- Tensione gate-source: ±8V a TA = +25°C
- Corrente di drain continua: -3,8A a TA=+25°C, VGS=-4,5V
- Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): -20A a TA = +25°C
- Dissipazione di potenza totale: 0,8W
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 62mohm max (VGS = -4,5V; ID = -4,2A; TA = +25°C)
- Package SOT23
- Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
3.8A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
800mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.062ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002
Tracciabilità del prodotto