DMP10H400SK3-13

Il DMP10H400SK3-13 è un MOSFET ad arricchimento a canale P. Questo MOSFET di nuova generazione è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di stato ON (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono i dispositivi di gestione dell'alimentazione, i convertitori DC-DC e gli interruttori analogici.

• Bassa resistenza Rds(ON), bassa capacità di ingresso
• Tensione drain-source: -100V a TA = +25°C
• Tensione gate-source: ±20V a TA = +25°C
• Corrente di drain continua: -9A a TC=25°C, VGS = -10V; stato stazionario
• Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): -15A a TA = +25°C
• Dissipazione di potenza totale: 42W a TA = +25°C
• Resistenza RDS(on) drain-source statica: 240mohm max (VGS = -10V; ID = -5A; TA = +25°C)
• Corrente diretta massima diodo di body: -4A a TA = +25°C
• Package TO252
• Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C

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