DMP1045U-7

Il DMP1045U-7 è un MOSFET ad arricchimento a canale P. Questo MOSFET di nuova generazione è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono i dispositivi di gestione dell'alimentazione, i convertitori DC-DC e gli interruttori analogici.

• Bassa resistenza di conduzione, bassa capacità di ingresso, alta velocità di commutazione
• Bassa dispersione I/O, protetto dalle scariche ESD
• Tensione drain-source: -12V a TA = +25°C
• Tensione gate-source: ±8V a TA = +25°C
• Corrente di drain continua: 4A a TA=25°C, VGS = -4,5V; stato stazionario
• Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): 40A a TA = +25°C
• Dissipazione di potenza totale: 0,8W a TA = +25°C
• Resistenza di conduzione drain-source statica: 31mohm max (VGS = -4,5V; ID = -4,0A; TA = +25°C)
• Package SOT23
• Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C

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