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DMN65D8L-7
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN65D8L-7
Codice Prodotto2543546
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id310mA
Resistenza Drain-Source in conduzione3ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza370mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMN65D8L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include DC-DC converters, power-management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Small surface-mount package, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 310mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 370mW at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
310mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
370mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
3ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per DMN65D8L-7
2 prodotti trovati
Prodotti associati
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005