DMN62D0U-13

Il DMN62D0U-13 è un MOSFET ad arricchimento a canale N. Questo MOSFET è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono i controlli dei motori, le funzioni di gestione dell'alimentazione e la retroilluminazione.

• Bassa resistenza di conduzione, bassa capacità di ingresso, protezione ESD fino a 1kV
• Velocità di commutazione elevata, bassa dispersione di I/O
• Tensione drain-source: 60V a TA = +25°C
• Tensione gate-source: ±20V a TA = +25°C
• Corrente di drain continua: 380mA a TA=25°C, VGS = 4,5V; stato stazionario
• Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): 1,2A a TA = +25°C
• Dissipazione di potenza totale: 380mW a TA = +25°C
• Corrente diretta continua massima del diodo di body: 0,4A a TA = +25°C
• Package SOT23
• Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C

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