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DMN61D9UWQ-13
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, montaggio superficiale (SMT)
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2 920 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN61D9UWQ-13
Codice Prodotto3943657
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id340mA
Resistenza Drain-Source in conduzione1.2ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza320mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
340mA
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
5V
Dissipazione di potenza
320mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.2ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto