DMN6140L-13

Il DMN6140L-13 è un MOSFET ad arricchimento a canale N. Questo MOSFET di nuova generazione è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono i convertitori DC-DC, le funzioni di gestione dell'alimentazione e gli interruttori analogici.

• Bassa resistenza di conduzione, bassa capacità di ingresso
• Velocità di commutazione elevata, bassa dispersione di I/O
• Tensione drain-source: 60V a TA = +25°C
• Tensione gate-source: ±20V a TA = +25°C
• Corrente di drain continua: 1,6A a TA=25°C, VGS = 10V; stato stazionario
• Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): 10A a TA = +25°C
• Dissipazione di potenza totale: 0,7W a TA = +25°C
• Corrente diretta continua massima del diodo di body: 1,5A a TA = +25°C
• Package SOT23
• Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C