Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
3 838 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
5+ | € 0,652 |
50+ | € 0,453 |
250+ | € 0,301 |
1000+ | € 0,204 |
2000+ | € 0,200 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 3,26 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN6068SE-13
Codice Prodotto3127342
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id4.1A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.068ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza2W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMN6068SE-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin SOT223 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, transformer driving switch, DC-DC converters, power management functions and uninterrupted power supply.
- Dain-source voltage is 60V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 20.8A
- Continuous drain current is 4.5A (VGS = 10V, TA = +70°C)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
4.1A
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.068ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000121
Tracciabilità del prodotto