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DMN32D2LFB4-7
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN32D2LFB4-7
Codice Prodotto3943609RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id300mA
Resistenza Drain-Source in conduzione1.2ohm
Stile di Case del TransistorX2-DFN1006
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.2V
Dissipazione di potenza350mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
300mA
Stile di Case del Transistor
X2-DFN1006
Tensione di test di Rds(on)
4V
Dissipazione di potenza
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.2ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto