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DMN3023L-7
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN3023L-7
Codice Prodotto3127331RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id6.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.025ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.025ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.8V
Dissipazione di Potenza Pd900mW
Dissipazione di potenza900mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMN3023L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include load switch, DC-DC converters, and power management functions.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 6.2A at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (380µs pulse, duty cycle = 1%) is 44A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.9W at TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.025ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
900mW
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
6.2A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.025ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.8V
Dissipazione di potenza
900mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004536