Stampa pagina
DMN26D0UFB4-7
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 240 mA, 1.8 ohm, X2-DFN1006, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN26D0UFB4-7
Codice Prodotto3943567RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id240mA
Resistenza Drain-Source in conduzione1.8ohm
Stile di Case del TransistorX2-DFN1006
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima900mV
Dissipazione di potenza350mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
240mA
Stile di Case del Transistor
X2-DFN1006
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.8ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
900mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001