DMN24H3D5L-7

Il DMN24H3D5L-7 è un MOSFET ad arricchimento a canale N. Questo MOSFET di nuova generazione è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di stato ON (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono i convertitori DC-DC, la gestione dell'alimentazione, sistemi alimentati a batteria e relè a stato solido, e i driver: relè, solenoidi, lampade, martelli, display, memorie, transistor, etc.

• Bassa tensione di soglia al gate, bassa capacità di ingresso
• Alta velocità di commutazione, package SMT ridotto
• Tensione drain-source: 240V a TA = +25°C
• Tensione gate-source: ±20V a TA = +25°C
• Corrente di drain continua: 0,48A a TA=25°C, VGS = 10V; stato stazionario
• Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): 1,9A a TA = +25°C
• Dissipazione di potenza totale: 0,76W a TA = +25°C
• Corrente continua massima diodo di body: 1,5A a TA = +25°C
• Package SOT23
• Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C

Avvertenze

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