Stampa pagina
DMN2230UQ-7
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
6 275 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,216 |
| 500+ | € 0,163 |
| 1500+ | € 0,145 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 26,60 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN2230UQ-7
Codice Prodotto3127329RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id2A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.081ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.11ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza600mW
Dissipazione di Potenza Pd600mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.081ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
600mW
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.11ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Dissipazione di Potenza Pd
600mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per DMN2230UQ-7
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000121