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DMN2058UW-7
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN2058UW-7
Codice Prodotto3405172
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id3.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.042ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.2V
Dissipazione di potenza500mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Il DMN2058UW-7 è un MOSFET ad arricchimento a canale N. Questo MOSFET è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza di conduzione (RDS (on)) e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le applicazioni tipiche includono i controlli dei motori, le funzioni di gestione dell'alimentazione e la retroilluminazione.
- Bassa resistenza di conduzione, bassa capacità di ingresso
- Velocità di commutazione elevata, bassa dispersione di I/O
- Tensione drain-source: 20V a TA = +25°C
- Tensione gate-source: ±12V a TA = +25°C
- Corrente di drain continua: 3,5A a TA=25°C, VGS = 10V; stato stazionario
- Corrente di drain a impulsi (impulso 10µs, ciclo di lavoro = 1%): 20A a TA = +25°C
- Dissipazione di potenza totale: 0,5mW a TA = +25°C
- Corrente diretta continua massima del diodo di body: 1A a TA = +25°C
- Package SOT323
- Temperatura di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
3.5A
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
500mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.042ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002
Tracciabilità del prodotto