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DMG3406L-7
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG3406L-7
Codice Prodotto3577034
Gamma ProdottiDMG3406L
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG3406L-7
Codice Prodotto3577034
Gamma ProdottiDMG3406L
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id3.6A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza770mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiDMG3406L
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMG3406L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, and portable power adapters.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 30V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 3.6A at TA=+25°C, steady state, VGS=10V
- Pulsed drain current (pulse width ≤ 10µS, duty cycle ≤ 1%) is 30A at TA=+25°C
- Maximum body diode forward current is 1.4A at TA=+25°C
- Power dissipation is 0.77W
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
3.6A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
770mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
DMG3406L
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002
Tracciabilità del prodotto