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DMG1013UWQ-7
MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG1013UWQ-7
Codice Prodotto3127311RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale P
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id820mA
Resistenza Drain-Source in conduzione0.75ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.5ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza310mW
Dissipazione di Potenza Pd310mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMG1013UWQ-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin SOT323 package. The DMG1013UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities.
- Dain-source voltage is -20V
- Gate-source voltage is ±6V
- Pulsed drain current is -3A
- Power dissipation is 0.31W
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- ESD protected
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale P
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.75ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
310mW
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
820mA
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.5ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Dissipazione di Potenza Pd
310mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per DMG1013UWQ-7
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000145
Tracciabilità del prodotto