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DMG1013UW-7
MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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| 9000+ | € 0,0361 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG1013UW-7
Codice Prodotto4318480
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id820mA
Resistenza Drain-Source in conduzione0.75ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza310mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
820mA
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
310mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.75ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto