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DMG1012UW
MOSFET di potenza, modalità arricchimento, canale N, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323
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195 820 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG1012UW
Codice Prodotto2061403
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id1A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.45ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima500mV
Dissipazione di potenza290mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMG1012UW è un MOSFET ad arricchimento a canale N con contenitore in plastica stampata e terminali lead-frame in rame con stagno opaco ricotto in conformità allo standard MIL-STD-202.
- Resistenza di ON bassa
- Bassa tensione di soglia del gate
- Capacità elettrica in ingresso bassa
- Velocità di commutazione rapida
- Bassa dispersione in ingresso/uscita
- Protezione da ESD fino a 2KV
- Dispositivo ecologico, privo di alogeni
- Certificato secondo gli standard AEC-Q101 di affidabilità elevata
- Livello di sensibilità all'umidità 1, come da J-STD-020
- Classe di infiammabilità: UL94V-0
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1A
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
290mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.45ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
500mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Alternative per DMG1012UW
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Prodotti associati
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000454