Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Avvisami non appena disponibile
Quantità | |
---|---|
500+ | € 0,0681 |
1500+ | € 0,0672 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 500
Più: 5
€ 39,05 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG1012UW-7
Codice Prodotto3127309RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id1A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.3ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.45ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza290mW
Dissipazione di Potenza Pd290mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMG1012UW-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.29W at TA = +25°C
- SOT323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.3ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
290mW
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.45ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Dissipazione di Potenza Pd
290mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per DMG1012UW-7
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000053
Tracciabilità del prodotto