S29GL01GT10TFI010

L'S29GL01GT10TFI010 è una memoria flash GL-T MIRRORBIT™ parallela da 3,0V e di 1Gb (128MB). Questo dispositivo offre un tempo di accesso alla pagina rapido di fino a solo 15ns, con un tempo di accesso random corrispondente fino a solo 100ns. Presenta un Write Buffer che permette di programmare un massimo di 256 word/512 byte in una sola operazione, il che risulta in un tempo di programmazione effettivo più rapido rispetto agli algoritmi di programmazione standard. Tutto questo rende il dispositivo ideale per le applicazioni embedded di oggi, che richiedono densità superiore, prestazioni migliori e un consumo inferiore.

• Velocità di accesso random: 100ns, fabbricato con tecnologia di processo di 45nm
• VIO = VCC = 2,7V-3,6V, settore di address più alto protetto, CFI versione 1.5
• Singola alimentazione (VCC) per lettura / programmazione / cancellazione (2,7V-3,6V)
• Funzione I/O versatile - ampio intervallo di tensione I/O (VIO): 1,65V-VCC
• Bus dati ×8/×16, lettura pagina 32 byte asincrona
• Hardware interno di Error Checking and Correction (ECC) automatico con correzione su singolo bit
• Comandi di sospensione e ripresa per le operazioni di programmazione e cancellazione
• Metodi di pin ready/busy, data polling e registri di stato per determinare lo stato del dispositivo
• 100.000 cicli di programmazione/cancellazione, conservazione dati per 20 anni
• Package TSOP, intervallo di temperature industriali: da -40°C a +85°C