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S29GL01GS11TFIV10
Memoria Flash, NOR parallela, 1 Gbit, 128M x 8 bit, CFI, parallela, TSOP, 56 Pin
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreS29GL01GS11TFIV10
Codice Prodotto3261703
Gamma Prodotti3V Parallel NOR Flash Memories
Anche noto comeSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreS29GL01GS11TFIV10
Codice Prodotto3261703
Gamma Prodotti3V Parallel NOR Flash Memories
Anche noto comeSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Datasheet tecnico
Tipo di Memoria FlashNOR parallela
Densità di Memoria1Gbit
Configurazione di memoria128M x 8 bit
InterfacceCFI, parallela
Package/case del circuito integratoTSOP
Numero di pin56Pin
Frequenza di Clock Max-
Tempo di Accesso110ns
Tensione di alimentazione min2.7V
Tensione di alimentazione max3.6V
Tensione di Alimentazione Nom3V
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti3V Parallel NOR Flash Memories
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
S29GL01GS11TFIV10 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 65nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core w/ versatile I/O, 110ns random access time, CFI parallel interfaces
- VIO = 1.65V to VCC, VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- Versatile I/O feature, wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC and ×16 data bus
- Asynchronous 32-byte page read and 512-byte programming buffer
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) – internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 1024byte OTP array w/ 2 lockable region
- 56 pin TSOP package and industrial temperature range from -40 to 85°C
Specifiche tecniche
Tipo di Memoria Flash
NOR parallela
Configurazione di memoria
128M x 8 bit
Package/case del circuito integrato
TSOP
Frequenza di Clock Max
-
Tensione di alimentazione min
2.7V
Tensione di Alimentazione Nom
3V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
3V Parallel NOR Flash Memories
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densità di Memoria
1Gbit
Interfacce
CFI, parallela
Numero di pin
56Pin
Tempo di Accesso
110ns
Tensione di alimentazione max
3.6V
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001361
Tracciabilità del prodotto