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S29GL01GS11TFIV10
Memoria Flash, NOR parallela, 1 Gbit, 128M x 8 bit, CFI, parallela, TSOP, 56 Pin
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreS29GL01GS11TFIV10
Codice Prodotto3261703
Gamma Prodotti3V Parallel NOR Flash Memories
Anche noto comeSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Datasheet tecnico
385 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreS29GL01GS11TFIV10
Codice Prodotto3261703
Gamma Prodotti3V Parallel NOR Flash Memories
Anche noto comeSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Datasheet tecnico
Tipo di Memoria FlashNOR parallela
Densità di Memoria1Gbit
Configurazione di memoria128M x 8 bit
InterfacceCFI, parallela
Package/case del circuito integratoTSOP
Numero di pin56Pin
Frequenza di Clock Max-
Tempo di Accesso110ns
Tensione di alimentazione min2.7V
Tensione di alimentazione max3.6V
Tensione di Alimentazione Nom3V
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti3V Parallel NOR Flash Memories
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L'S29GL01GS11TFIV10 è un prodotto flash NOR parallelo Eclipse MIRRORBIT™ di 128M x 8bit, 1Gbit, fabbricato sulla base della tecnologia di processo di 65nm. Il dispositivo è ideale per le applicazioni embedded che richiedono una densità superiore, prestazioni migliori e un consumo inferiore.
- Core CMOS 3,0V con I/O versatile, tempo di accesso random 110ns, interfacce parallele CFI
- VIO= 1,65V - VCC, VCC= 2,7V-3,6V, settore di Address superiore protetto
- Funzione I/O versatile, ampio intervallo di tensione I/O (VIO): 1,65V - VCC e ×16 bus di dati
- Lettura pagine 32 byte asincrona e buffer di programmazione 512 byte
- Opzioni singolo word e multipla programmazione sullo stesso word
- Error Checking and Correction (ECC) automatico hardware interno con correzione errore di singolo bit
- Comandi di sospensione e ripresa per le operazioni di program/erase
- Metodi di pin ready/busy, data polling e registri di stato per determinare lo stato del dispositivo
- 100.000 cicli di program/erase, conservazione dati per 20 anni, array OTP 1024byte separato con 2 regioni bloccabili
- Package TSOP a 56 pin, temperatura ambiente industriale: da -40 a 85°C
Specifiche tecniche
Tipo di Memoria Flash
NOR parallela
Configurazione di memoria
128M x 8 bit
Package/case del circuito integrato
TSOP
Frequenza di Clock Max
-
Tensione di alimentazione min
2.7V
Tensione di Alimentazione Nom
3V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
3V Parallel NOR Flash Memories
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densità di Memoria
1Gbit
Interfacce
CFI, parallela
Numero di pin
56Pin
Tempo di Accesso
110ns
Tensione di alimentazione max
3.6V
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001361
Tracciabilità del prodotto