FM25C160B-GTR

L'FM25C160B-GTR è una F-RAM seriale (SPI) automotive di 16 Kbit (2K × 8). Si tratta di una memoria non volatile da 16 Kbit che sfrutta un processo ferroelettrico avanzato. La memoria RAM ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile alla RAM. Offre una memorizzazione dati di 121 anni ed elimina le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle flash seriali, EEPROM e da altre memorie non volatili. A differenza delle EEPROM e delle Flash seriali, l'FM25C160B effettua le operazioni di scrittura alla velocità del bus. Niente più ritardi di scrittura. I dati sono scritti immediatamente nell'array di memoria non appena i byte sono trasferiti con successo nel dispositivo. Il ciclo di bus successivo può cominciare senza bisogno di polling dei dati. In aggiunta, il prodotto offre una durata di scrittura sostanziale rispetto ad altre memorie non volatili.

• Memoria F-RAM da 16 Kbit con organizzazione logica in 2K × 8
• 10 bilioni di letture/scrittura di lunga durata, conservazione dati per 121 anni
• Scritture No Delay™, processo ferroelettrico avanzato di alta affidabilità
• Interfaccia SPI rapida
• Sostituto hardware diretto di EEPROM e Flash seriale, supporta modalità SPI 0 (0,0) e modalità 3 (1,1)
• Protezione hardware con il pin Write Protect (WP attivo basso)
• Protezione software con l'istruzione Write Disable, protezione blocco S/W per 1/4, 1/2 o intero array
• Corrente di standby VDD: 10µA max (TA=85°C)
• Tensione di esercizio: 4,5V-5,5V
• Package SOIC a 8 pin, temperatura di esercizio industriale: da -40 a +125°C