CY7C1049GN30-10VXI

Il CY7C1049GN30-10VXI è un dispositivo SRAM CMOS ad alte prestazioni organizzato in 512K word per 8 bit. La scrittura dei dati si effettua tramite l'asserzione degli ingressi Chip Enable (CE attivo basso) e Write Enable (WE attivo basso) LOW e la fornitura dei dati sui pin da I/O0 a I/O7 e gli address sui pin da A0 a A18. La lettura dei dati viene effettuata tramite l'asserzione degli ingressi Chip Enable (CE attivo basso) e Output Enable (OE attivo basso) e la fornitura dell'address richiesto sulle linee di address. I dati di lettura sono accessibili sulle linee I/O (da I/O0 a I/O7). Le applicazioni includono le interfacce uomo-macchina

• Densità: 4 Mbit, larghezza dati × 8 bit, tecnologia di processo 65nm
• Velocità 10ns, intervallo di tensione: 2,2-3,6V
• ICC di esercizio: da 38mA tipica (f=fmax.,TA=25°C, VCC=3V)
• Corrente di power-down CE automatico – ingressi CMOS: 6mA tipici (max VCC, 0,2V)
• Conservazione dei dati: 1,0V, ingressi e uscite compatibili con TTL
• Capacità di ingresso: 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(tip)
• Capacità I/O: 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(tip)
• VCC per conservazione dati: 1V min (da -40°C a 85°C)
• Package SOJ stampato a 36 pin, temperatura industriale di esercizio: da -40 a +85°C