CY15B104Q-SXI

Il CY15B104Q-SXI è una F-RAM seriale (SPI) di 4 Mbit (512 K × 8). Si tratta di una memoria non volatile da 4 Mbit che sfrutta un processo ferroelettrico avanzato. La memoria RAM ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile alla RAM. Offre una memorizzazione dati di 151 anni ed elimina le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle flash seriali, EEPROM e da altre memorie non volatili. A differenza delle EEPROM e delle Flash seriali, effettua le operazioni di scrittura alla velocità del bus. Niente più ritardi di scrittura. I dati sono scritti immediatamente nell'array di memoria non appena i byte sono trasferiti con successo nel dispositivo. Il ciclo di bus successivo può cominciare senza bisogno di polling dei dati. In aggiunta, il prodotto offre una resistenza sostanziale della scrittura rispetto ad altre memorie non volatili. Le applicazioni includono il mercato degli indossabili, della salute e della cura personale per portare uno stile di vita e un'esperienza completamente nuovi al cittadino "connesso" di oggi, all'elettronica di consumo e all'ambito spaziale.

• Intervallo di tensione: 2,0V-3,6V, densità 4 Mbit, F-RAM SPI
• Memoria F-RAM a 4Mbit logicamente organizzata in 512 K × 8
• 100 bilioni di letture/scrittura di lunga durata, conservazione dati per 151 anni
• Scritture No Delay™, processo ferroelettrico avanzato di alta affidabilità
• Sostituto hardware diretto di EEPROM e Flash seriale
• Protezione hardware con il pin Write Protect (WP attivo basso)
• Protezione software con l'istruzione Write Disable, protezione blocco S/W per 1/4, 1/2 o intero array
• Corrente attiva a 1MHz: 300µA, corrente di standby VDD: 100µA tipica (TA=25°C)
• Corrente in modalità Sleep: 3µA tipica (TA=25°C)
• Package SOIC a 8 pin, temperatura di esercizio industriale: da -40 a +85°C