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NXH80T120L2Q0S2G
Modulo IGBT, Inverter Half Bridge PIM, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Tolto dall'assortimento
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH80T120L2Q0S2G
Codice Prodotto2835631
Datasheet tecnico
Polarità TransistorCanale N
Configurazione Transistore IGBTInverter Half Bridge PIM
Corrente di Collettore CC67A
Corrente di Collettore continua67A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)2.35V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.35V
Dissipazione di Potenza Pd158mW
Dissipazione di potenza158mW
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Temperatura di esercizio max150°C
Stile di Case del TransistorPIM
Terminazione IGBTa saldare
Numero di pin20Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTTrench Field Stop
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
Canale N
Corrente di Collettore CC
67A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
2.35V
Dissipazione di Potenza Pd
158mW
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Temperatura di esercizio max
150°C
Terminazione IGBT
a saldare
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Configurazione Transistore IGBT
Inverter Half Bridge PIM
Corrente di Collettore continua
67A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.35V
Dissipazione di potenza
158mW
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Stile di Case del Transistor
PIM
Numero di pin
20Pin
Tecnologia Transistore IGBT
Trench Field Stop
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.026838
Tracciabilità del prodotto