Stampa pagina
GD50HFU120C1S
Modulo IGBT, mezzo ponte, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, modulo
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
3 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
1+ | € 37,280 |
5+ | € 35,140 |
10+ | € 32,860 |
50+ | € 31,670 |
100+ | € 30,730 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 37,28 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTARPOWER
Cod. produttoreGD50HFU120C1S
Codice Prodotto3912064
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTmezzo ponte
Corrente di Collettore continua78A
Corrente di Collettore CC78A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore3.15V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)3.15V
Dissipazione di potenza414W
Dissipazione di Potenza Pd414W
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Temperatura di esercizio max150°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTprigioniero
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT NPT [Standard]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
mezzo ponte
Corrente di Collettore CC
78A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
3.15V
Dissipazione di Potenza Pd
414W
Temperatura di esercizio max
150°C
Terminazione IGBT
prigioniero
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Corrente di Collettore continua
78A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
3.15V
Dissipazione di potenza
414W
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT NPT [Standard]
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per GD50HFU120C1S
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004536