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MMRF5014HR5
Transistore RF FET, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNXP
Cod. produttoreMMRF5014HR5
Codice Prodotto3370166
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds125V
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza232W
Frequenza Operativa Min1MHz
Frequenza Operativa Max2.7GHz
Stile di Case del TransistorNI-360H-2SB
Numero di pin2Pin
Temperatura di esercizio max225°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoreflangia
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
125V
Dissipazione di potenza
232W
Frequenza Operativa Max
2.7GHz
Numero di pin
2Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
1MHz
Stile di Case del Transistor
NI-360H-2SB
Temperatura di esercizio max
225°C
Montaggio Transistore
flangia
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.036
Tracciabilità del prodotto