Stampa pagina
NTTFS1D8N02P1E
MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 150 A, 0.0013 ohm, PQFN, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
2 172 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 1,470 |
| 500+ | € 1,090 |
| 1000+ | € 1,070 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 152,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTTFS1D8N02P1E
Codice Prodotto3528513RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id150A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0013ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.00105ohm
Stile di Case del TransistorPQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza46W
Dissipazione di Potenza Pd46W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
25V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0013ohm
Stile di Case del Transistor
PQFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
46W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
150A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.00105ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Dissipazione di Potenza Pd
46W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0034
Tracciabilità del prodotto