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200V MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione Drain Source Vds
Tensione drain-source (Vds) canale N
Corrente Continua di Drain Id
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Qualificazioni
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 1,300 3300+ € 1,270 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N e P complementare | 200V | 200V | - | 200V | - | - | 7ohm | 7ohm | NSOIC | 8Pin | - | - | 150°C | - | - | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 1,950 500+ € 1,780 1000+ € 1,680 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N, canale N e P complementare | 200V | 200V | 30A | 200V | 30A | 30A | 0.0077ohm | 0.0077ohm | - | 10Pin | 60W | 60W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | |||||
