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-W MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione drain-source (Vds) canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 5+ € 0,976 50+ € 0,608 100+ € 0,397 500+ € 0,306 1000+ € 0,277 | Min: 5 / Mult: 5 | canale P | -V | 20V | -A | 4A | -ohm | 0.048ohm | SOIC | 8Pin | -W | 3.1W | 150°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,397 500+ € 0,306 1000+ € 0,277 | Min: 100 / Mult: 5 | canale P | -V | 20V | -A | 4A | -ohm | 0.048ohm | SOIC | 8Pin | -W | 3.1W | 150°C | |||||
