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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità | 1+ € 109,620 5+ € 101,710 10+ € 93,800 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 72A | 1.7kV | 0.045ohm | TO-247 | 3Pin | 20V | 2.6V | 520W | 150°C | C2M | |||||
Unità | 1+ € 102,460 5+ € 98,770 10+ € 95,070 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 72A | 1.7kV | 0.045ohm | TO-247 Plus | 4Pin | 20V | 2.6V | 520W | 150°C | C2M | |||||
