Stampa pagina
ARE6-8531-0JL00
Emettitore di infrarossi, 855 nm, 25 °, DFN, 1.4 W/Sr
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 28 settimana/e
| Quantità | |
|---|---|
| 10000+ | € 2,900 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 10000
Più: 10000
€ 29 005,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreBROADCOM
Cod. produttoreARE6-8531-0JL00
Codice Prodotto4060296RL
Datasheet tecnico
Lunghezza d'Onda di Picco855nm
Angolo di Intensità Dimezzata25°
Tipo di Case del DiodoDFN
Intensità Radiante (o Energetica)1.4W/Sr
Tempo di Salita-
Tempo di Discesa tf-
Corrente Diretta If(AV)1A
Tensione Diretta VF Max3.35V
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max120°C
Standard di Qualifica Automotive-
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
ARE6-8531-0JL00 is a Broadcom® high-power IR LED with 855nm peak wavelength, appropriate for specific devices, such as infrared illumination, surveillance systems, CCTV, and gesture recognition. Packaged in a 3.45mm × 3.45mm surface-mount platform, together with viewing angles of 50° lens optics options, the high-power IR LED is suitable for a wide variety of applications. The package is compatible with the reflow soldering process. Typical applications include light curtain, infrared illumination for cameras, surveillance systems, machine vision systems and eye tracking systems.
- High power infrared emitting diode
- High radiant intensity, high radiant power
- Low forward voltage
- Typical viewing angle is 50°
- Compatible with industrial reflow soldering process
- 1400mW/sr radiant intensity, Ie
- 1270mW radiant flux
- Typical forward voltage of 3.05V
- Operating temperature range from -40 to +120°C
Specifiche tecniche
Lunghezza d'Onda di Picco
855nm
Tipo di Case del Diodo
DFN
Tempo di Salita
-
Corrente Diretta If(AV)
1A
Temperatura di esercizio min
-40°C
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Angolo di Intensità Dimezzata
25°
Intensità Radiante (o Energetica)
1.4W/Sr
Tempo di Discesa tf
-
Tensione Diretta VF Max
3.35V
Temperatura di esercizio max
120°C
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto